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意法半導體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價值; 【導讀】意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN......
開關器件產(chǎn)品,，主要應用于手機/筆記本快充中,，在手訂單達數(shù)百萬顆。2022年將繼續(xù)推出適用于140W,、200W、330W等低功率應用場景的高性能氮化鎵功率器件產(chǎn)品及電源整體解決方案,。 目前......
的200W氮化鎵閃充引發(fā)業(yè)界熱議,，其PFC升壓開關管便采用了納微半導體氮化鎵功率芯片NV6136A,。 一位納微半導體展臺的工作人員告訴財聯(lián)社記者，碳化硅主要用在汽車等領域,，氮化鎵......
意法半導體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價值;2023年12月15日,，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵......
意法半導體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價值;意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,，利用......
意法半導體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價值;意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用......
研發(fā)團隊及市場推廣,。 天狼芯是一家專注于高性能國產(chǎn)功率半導體芯片的Fabless（無產(chǎn)線芯片設計商）創(chuàng)業(yè)公司,。其主要產(chǎn)品有基于第三代半導體材料GaN（氮化鎵）系列和SiC（碳化硅）系列......
科技,、氮矽科技,、漢驊半導體等業(yè)內(nèi)領先企業(yè)在會上展示了以SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）為核心的最新研發(fā)成果和先進技術,，面向工業(yè),、能源、汽車和消費電子等領域,。 天域半導體 此次展會現(xiàn)場,，天域......
Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件;近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP）,，與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起,，組成......
硅陶瓷的理論熱導率可達到200W/|（m·K）以上,，而其熱膨脹系數(shù)與芯片的熱膨脹系數(shù)相差無幾,，氮化硅陶瓷基板被認為是大規(guī)模或超大規(guī)模集成電路封裝基板材料的優(yōu)先選擇,。 而燒結工藝是氮化硅陶瓷基板生產(chǎn)的關鍵技術之一,，氮化......
從手機充電器到汽車充電器,，氮化鎵開啟逆襲之路; 【導讀】如今的消費類電源市場,，要說「幾乎人手一個氮化鎵快充充電器」并不過分吧？從 2018 年前后開始,，氮化鎵快充充電器進入國內(nèi)市場,，隨后......
環(huán)旭電子投資氮化鎵公司,，加碼功率電子戰(zhàn)略;11月24日,，環(huán)旭電子宣布，公司全資子公司環(huán)鴻電子股份有限公司與氮化鎵系統(tǒng)有限公司（GaN Systems Inc.,，以下簡稱“氮化鎵公司”）簽訂......
好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅動器比翼雙飛，助力氮化鎵先進應用;未來已來,，氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來,。 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術合作方案。?鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵......
好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅動器比翼雙飛,，助力氮化鎵先進應用;好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅動器比翼雙飛,，助力氮化鎵先進應用 未來已來，氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來,。 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵......
從手機快充到電動汽車，氮化鎵功率半導體潛力無限;近期,，蘋果“爆料大神”郭明錤透露,，蘋果可能在今年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充,，同時采用新的外觀設計,。 與三星、小米......
全球首款12英寸功率氮化鎵晶圓問世,！;9月11日，英飛凌宣布,，公司已成功開發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓,。 英飛凌表示，公司......
氮化鎵激光芯片終于實現(xiàn)國產(chǎn),，氮化鎵正在向快充以外的市場進軍; 【導讀】8月26日，安徽格恩半導體有限公司氮化鎵激光芯片產(chǎn)品發(fā)布會圓滿舉行,。本次格恩半導體共發(fā)布了十多款令人期待的氮化鎵......
好馬配好鞍——鎵未來氮化鎵和納芯微隔離驅動器比翼雙飛，助力氮化鎵先進應用;未來已來,，的社會經(jīng)濟價值加速到來,。本文引用地址：? 本文介紹了鎵未來和在方面的技術合作方案。 鎵未......
去年全球氮化鎵射頻器件市場達13億美元,，電信基礎設施占比過半; 【導讀】yole group近期發(fā)布了關于射頻氮化鎵器件市場的調(diào)查研究,。報告顯示,，2022年射頻氮化鎵器件市場價值13億美......
英飛凌成功收購GaN Systems,，氮化鎵市場向巨頭“靠攏”？; 【導讀】10月25日,，英飛凌科技宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）,。這家......
2026年全球GaN射頻器件市場預計超過24億美元;氮化鎵是一種無機物，化學式GaN,，是氮和鎵的化合物,，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體,，可以用在高功率、高速的光電元件中,。 在......
英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems），在擴充氮化鎵產(chǎn)品線的同時;英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）,，在擴充氮化鎵產(chǎn)品線的同時,，進一......
,，每股發(fā)行價為30.86港元,。此次募集資金主要用于擴大氮化鎵產(chǎn)能、產(chǎn)品組合以及應用研發(fā)等,。 據(jù)悉,，英諾賽科成立于2017年，是一家專注于第三代半導體氮化鎵芯片研發(fā)與制造的高新技術企業(yè),，產(chǎn)品......
英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司，進一步鞏固自身在全球功率系統(tǒng)領域的領導地位;英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）,，在擴充氮化鎵產(chǎn)品線的同時,，進一......
羅姆與臺積電合作開發(fā)車用氮化鎵器件;12月10日，羅姆宣布與臺積電就車載氮化鎵功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關系,。通過該合作關系,，雙方將致力于將羅姆的氮化鎵器件開發(fā)技術與臺積電硅基氮化鎵......
【成電協(xié)·會員行】優(yōu)秀的第三代半導體氮化鎵芯片公司——氮矽科技;? 氮化鎵（GaN）屬于第三代半導體，又被稱為寬禁帶半導體,，和第一代的硅（Si）以及第二代的砷化鎵（GaAs）等前輩相比,，其在......
納微半導體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片,，GaNSense新技術登場;11月8日,，北京--氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)領導者（Navitas Semiconductor）（納斯......
Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評估數(shù)據(jù);Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評估數(shù)據(jù) 該公司高壓氮化鎵器件持續(xù)為全功率范圍的應用提供極佳的可靠性 加州......
英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）,，在擴充氮化鎵產(chǎn)品線的同時，進一步鞏固自身在全球功率系統(tǒng)領域的領導地位; 【2023 年 03 月 03日,，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛......
英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）,，在擴充氮化鎵產(chǎn)品線的同時,，進一步鞏固自身在全球功率系統(tǒng)領域的領導地位;英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY......
產(chǎn)研：車規(guī)級氮化鎵普及面臨哪些難點,？;前言：車規(guī)級氮化鎵的普及目前還處于非常前期的階段,，國產(chǎn)廠商正在加速布局,，但后續(xù)前景非常看好,。 從消費級到車規(guī)級,，氮化鎵（GaN）技術有何優(yōu)勢？ 作為......
Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評估數(shù)據(jù);該公司高壓氮化鎵器件持續(xù)為全功率范圍的應用提供極佳的可靠性 加州戈利塔—2012年12月15 日--高可靠性,、高性能氮化鎵(GaN)電源......
Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評估數(shù)據(jù);該公司高壓氮化鎵器件持續(xù)為全功率范圍的應用提供極佳的可靠性高可靠性,、高性能氮化鎵(GaN)電源......
15億,！臺灣8英寸氮化鎵功率廠商投資案通過;10月4日,，中國臺灣科學園區(qū)審議會第19次會議召開，會中通過冠亞半導體股份有限公司（下文簡稱“冠亞”）投資議案,。據(jù)介紹,，該案投資金額達15億元新臺幣（折合......
氮化鎵爭奪戰(zhàn)火熱進行中,，規(guī)模超60億元的收購案塵埃落定;今年3月,，一場收購案迅速登上氮化鎵（GaN）領域頭條，因為主角是多年蟬聯(lián)全球功率半導體市場占有率第一的英飛凌,。幾個月過去,，這場......
日本大廠,，布局汽車GaN器件，但高成本仍是障礙; 【導讀】日本公司正著手大規(guī)模生產(chǎn)用于電動汽車的氮化鎵（GaN）功率半導體器件,，以增加電動汽車的行駛里程,，但高......
百斯特達氮化鎵半導體芯片項目建成,，將增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線;據(jù)盤錦日報報道,，5月9日，盤錦高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)的氮化鎵半導體芯片項目現(xiàn)場,，工程施工人員正在接通水電氣,，遼寧......
英諾賽科推出高集成小體積半橋氮化鎵功率芯片ISG3201; 【導讀】英諾賽科宣布推出SolidGaN系列100V半橋氮化鎵功率芯片新品ISG3201。內(nèi)部集成2顆100V/3.2mΩ增強型氮化鎵......
氮化鎵取代碳化硅,，從PI開始,？;在功率器件選擇過程中，以氮化鎵,、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來越受到了人們的重視,，在效率,、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是......
“后起之秀”氮化鎵新動態(tài)：簽約、量產(chǎn),、應用…;據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,，到2026年，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到13.3億美金,，復合......
英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems）;【2023 年 03 月 03日,，德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）和......
多個氮化鎵企業(yè)受資本熱捧,！晶湛半導體獲歌爾微電子加持;3月3日,，氮化鎵（GaN）外延材料供應商蘇州晶湛半導體有限公司（以下簡稱“晶湛半導體”）宣布，公司于近日完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資,。 本輪......
漲知識！氮化鎵（GaN）器件結構與制造工藝;功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延的不同,，本文通過深入對比HEMT與硅基MOS管的外延,，再對增強型和耗盡型的HEMT進行對比，總結......
德州儀器進軍中壓氮化鎵,，進一步替代傳統(tǒng)硅基市場;近日，德州儀器推出了全新的100V氮化鎵——LMG2100和LMG3100系列產(chǎn)品,，補充了公司在100V左右中壓市場的空白,。借助新一代氮化鎵，以及......
豐田合成開發(fā)出8英寸氮化鎵單晶晶圓;1月9日消息,，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co.,Ltd.）日前宣布成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵（GaN）單晶晶圓,。 這是......
納微半導體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片,，GaNSense新技術登場;氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）（納斯......
納微半導體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片，GaNSense新技術登場;氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）（納斯......
納微半導體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片,，GaNSense新技術登場;氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）（納斯......
納微半導體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片,，GaNSense新技術登場;氮化鎵（GaN）功率芯片的行業(yè)領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）（納斯......
百思特達氮化鎵半導體芯片項目竣工，進入試生產(chǎn)階段;據(jù)盤錦高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)消息，目前,，遼寧百思特達半導體科技有限公司（以下簡稱“百思特達”）的氮化鎵半導體芯片項目已經(jīng)進入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段,。 消息......

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manufacturing in Taiwan. ; EPC設計，開發(fā),，市場,，銷售基于氮化鎵的電源管理設備，采用成熟的晶圓代工廠,。使最高效的能源轉換,，利用優(yōu)越的半導體材料，EPC是率先推出增強型氮化鎵
;東莞中和光電有限公司;;本產(chǎn)品采用樹脂封裝,，材料采用氮化鎵（GaN）,，結構為電解出型，封裝形式為直插型,，型號有3mm,5mm,8mm,10mm及其他特殊型號,，形狀有圓頭，橢圓,，草帽,，鋼盔，方形
(GaAs),、氮化鎵 (GaN),、聲表面波 (SAW) 和體聲波 (BAW)技術設計、開發(fā)和生產(chǎn)先進的高性能射頻解決方案,，滿足全球客戶需求,。我們是市場領導者，專門為移動設備,，3G和4G蜂窩基站,，WLAN
;深圳市科萊特電子有限公司;;深圳市科萊特電子有限公司自2002年開始，在國內(nèi)率先采用美國ANADIGICS砷化鎵(GaAs)集成芯片與國外技術機構合作共同研制,、開發(fā)出第一代,、第二代砷化鎵（GaAs
;璨圓光電深圳市場部;;璨圓光電股份有限公司是一家LED芯片專業(yè)生產(chǎn)廠家,提供以氮化鎵（GaN）為材質(zhì)的超高亮度藍、綠,、紫光等LED晶粒!目前產(chǎn)品波長范圍可達385nm-560nm,；可應
子體 (PDP)顯示熒光粉、氮化鎵基白光二級管光源材料,，新型太陽能光源等新型環(huán)保節(jié)能產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn),。
;深圳市希奇電子科技有限公司;;希奇電子科技有限公司是一家以臺灣LED芯片為龍頭，集LED芯片及成品銷售,、服務于一體的專業(yè)團隊,。提供以氮化鎵（GaN）為材質(zhì)的超高亮度藍、綠、白,、紫外光等LED晶粒
兆龍,； 【氮化鎵】： 英諾賽科,、GaN systems,； 【單片機】： GA (格安電子)、HK (航順芯片),、RENESAS 分銷IR,、ON、ST,、NXP,、INFINEON、CREE等半導體電子元器j件,。
度四元晶粒（C系列）,、金屬基板倒裝晶粒（MS）、氮化鎵晶粒（AllnGaN）,、覆晶晶粒（Flip chip）,； K＊on：紅外芯片（940nm）、高速紅外芯片（850nm,875nm,880nm） 用過
;江蘇蘇州谷邦（等離子氮化）表面技術有限公司;;谷邦公司擁有多臺國內(nèi)最先進的金屬表面離子滲氮設備-真空＊輝光＊脈沖-等離子氮化爐（可承載直徑2000mm氮化工件）,，爐內(nèi)氣壓,、氣體氣氛、溫度